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IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的分类方式多样，以下从不同维度展开分析，以逻辑清晰的方式呈现其类别体系：
IGBT（绝缘栅双极型晶体管） 是一种结合了MOSFET高输入阻抗与双极晶体管（BJT）低导通损耗特性的复合型功率半导体器件，专为高电压、大电流场景设计，是电力电子领域的核心开关元件。
推荐：搭载SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块
SiC与MOSFET相比完美地解决了硅基中高压与高频很难同时实现这一难题，基于与高压中频兼容, SiC-MOSFET并以其高效率小体积等特点成为电动汽车，充电桩和光伏逆变器（不考虑成本的话）的最优方案；
氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶体管这两种化合物半导体器件已作为方案出现。这些器件与长使用寿命的硅功率横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) MOSFET和超级结MOSFET竞争。GaN和SiC器件在某些方面是相似的，但也有很大的差异。
为了证明您选择 SiC 作为开关模式设计的首选功率半导体是正确的，请考虑以下突出的特性。与标准或超级结 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的电压、更高的频率和更高的温度下运行。其他器件的大部分功率损耗在 SiC 器件中是不存在的，因此 SiC 器件在大多数应用中的效率可以达到 90% 以上。最初，SiC 器件比其他 MOSFET 或 IGBT 更昂贵。
SiC模块降低损耗方案主要考虑到以下4个方面：采用低电压、低频率设计，优化驱动程序，优化结构设计，采用低侧谐振技术。
SiC MOSFET与Si IGBT都是电子产品发展不可或缺的产品，SiC MOSFET与Si IGBT有很多的共同特性也有差异，那么下面就对其产品的差异进行一下对比：
单FET和MOSFET管在开关电路和功率放大器等应用中具有很广泛的应用前景，具体的选择要根据具体的应用场景和需求来决定。
