LEGM25BE120E2HZ,丽晶美能,IGBT 模块

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  LEGM100BH120L1H

  IGBT 模块 ,100A ,半桥，2单元 ,1200V ,94*34*30.5mm

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  LEGM35TD120E1HZ

  IGBT 模块 ,35A0 ,三相全桥，6单元 ,1200V ,48*33.8*15.5mm

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  LEGM15BE120E1HZ

  IGBT 模块 ,15A ,三相全桥+制动+二极管整流桥 ,1200V ,48*33.8*15.5mm

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  FS35R12W1T4

  IGBT 模块 ,35A0 ,三相全桥，6单元 ,1200V ,48*33.8*15.5mm

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  FP25R12W2T4

  IGBT 模块 ,25A ,三相全桥+制动+二极管整流桥 ,1200V ,56.7*48*15.5mm

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  FP15R12W1T4

  IGBT 模块 ,15A ,三相全桥+制动+二极管整流桥 ,1200V ,48*33.8*15.5mm

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  FF100R12RT4

  IGBT 模块 ,100A ,半桥，2单元 ,1200V ,94*34*30.5mm

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• SiC MOSFET和Si IGBT驱动电路差异对比 SiC MOSFET与Si IGBT都是电子产品发展不可或缺的产品，SiC MOSFET与Si IGBT有很多的共同特性也有差异，那么下面就对其产品的差异进行一下对比：

• SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作环境与应用市场 SiC与MOSFET相比完美地解决了硅基中高压与高频很难同时实现这一难题，基于与高压中频兼容, SiC-MOSFET并以其高效率小体积等特点成为电动汽车，充电桩和光伏逆变器（不考虑成本的话）的最优方案；

• 碳化硅(SiC)MOSFET芯片的设计与制造过程 对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求。这篇文章将为您介绍SiC MOSFET器件设计和制造流程。

• Cascode SiC会比普通SiC速度更快吗？ Cascode SiC（碳化硅共源共栅）结构在某些情况下可能会比普通 SiC 器件具有更快的开关速度。Cascode 结构结合了 Si（硅）MOSFET 和 SiC 器件的特点，通过优化的设计和驱动方式，有可能实现更低的导通电阻、更快的开关转换和更低的开关损耗。

• 碳化硅(SIC)MOSFET的电路符号 碳化硅(SiC)MOSFET 的电路符号与传统的硅 MOSFET 的符号类似，只是在符号上加上了一些特殊的标记来表示其特性。

• 碳化硅(SiC)电源管理解决方案搭配 碳化硅(SiC)解决方案支持以更小、更轻和更高效的电气方案取代飞机的气动和液压系统，为机载交流发电机、执行机构和辅助动力装置（APU）供电。这类解决方案还可以减少这些系统的维护需求。但是，SiC技术最显著的贡献体现在其所肩负实现商用运输车辆电气化的使命上，这些车辆是世界上最大的GHG排放源之一。随着1700V金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和可配置数字栅极驱动技术的问世，现今的SiC解决方案使设计人员能够让这些系统以最少的能源消耗产生最大的生产力。

• 硅向碳化硅(SiC)过渡过程中变流器的设计有哪些问题？ 碳化硅器件变流器的设计是一个复杂的过程，需要考虑许多因素，以确保其可靠性和性能。因此，设计师需要充分了解碳化硅器件的特性，并在设计时进行相应的调整，以确保变流器能够满足应用环境的要求

• 全SiC MOSFET模块实现系统的低损耗和小型化 SiC MOSFET模块是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半导体器件，在高速开关性能和高温环境中，优于目前主流应用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高额定电压和更大电流容量的工业设备应用中，SiC MOSFET模块可以满足包括轨道车用逆变器、转换器和光伏逆变器在内的应用需求，实现系统的低损耗和小型化。

• 选择氮化镓(SiC)mosfet的5种重要技巧 为了证明您选择 SiC 作为开关模式设计的首选功率半导体是正确的，请考虑以下突出的特性。与标准或超级结 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的电压、更高的频率和更高的温度下运行。其他器件的大部分功率损耗在 SiC 器件中是不存在的，因此 SiC 器件在大多数应用中的效率可以达到 90% 以上。最初，SiC 器件比其他 MOSFET 或 IGBT 更昂贵。

• 低感SiC 功率模块介绍 低感SiC功率模块指的是使用硅碳化物（SiC）作为半导体材料的功率模块，具有较低的电感值。与传统的硅（Si）功率模块相比，低感SiC功率模块具有更高的开关速度和更低的开关损耗，从而提高了系统的效率和可靠性。

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