LEGM15BE120E1HZ,丽晶美能,IGBT 模块

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  LEGM100BH120L1H

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  LEGM35TD120E1HZ

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  LEGM25BE120E2HZ

  IGBT 模块 ,25A ,三相全桥+制动+二极管整流桥 ,1200V ,56.7*48*15.5mm

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  FP25R12W2T4

  IGBT 模块 ,25A ,三相全桥+制动+二极管整流桥 ,1200V ,56.7*48*15.5mm

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  FS35R12W1T4

  IGBT 模块 ,35A0 ,三相全桥，6单元 ,1200V ,48*33.8*15.5mm

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  FP15R12W1T4

  IGBT 模块 ,15A ,三相全桥+制动+二极管整流桥 ,1200V ,48*33.8*15.5mm

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  FF100R12RT4

  IGBT 模块 ,100A ,半桥，2单元 ,1200V ,94*34*30.5mm

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• 碳化硅(SiC)电源管理解决方案搭配 碳化硅(SiC)解决方案支持以更小、更轻和更高效的电气方案取代飞机的气动和液压系统，为机载交流发电机、执行机构和辅助动力装置（APU）供电。这类解决方案还可以减少这些系统的维护需求。但是，SiC技术最显著的贡献体现在其所肩负实现商用运输车辆电气化的使命上，这些车辆是世界上最大的GHG排放源之一。随着1700V金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和可配置数字栅极驱动技术的问世，现今的SiC解决方案使设计人员能够让这些系统以最少的能源消耗产生最大的生产力。

• 搭载SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块 推荐：搭载SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块

• 低感SiC 功率模块介绍 低感SiC功率模块指的是使用硅碳化物（SiC）作为半导体材料的功率模块，具有较低的电感值。与传统的硅（Si）功率模块相比，低感SiC功率模块具有更高的开关速度和更低的开关损耗，从而提高了系统的效率和可靠性。

• SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作环境与应用市场 SiC与MOSFET相比完美地解决了硅基中高压与高频很难同时实现这一难题，基于与高压中频兼容, SiC-MOSFET并以其高效率小体积等特点成为电动汽车，充电桩和光伏逆变器（不考虑成本的话）的最优方案；

• 硅向碳化硅(SiC)过渡过程中变流器的设计有哪些问题？ 碳化硅器件变流器的设计是一个复杂的过程，需要考虑许多因素，以确保其可靠性和性能。因此，设计师需要充分了解碳化硅器件的特性，并在设计时进行相应的调整，以确保变流器能够满足应用环境的要求

• 碳化硅(SIC)MOSFET的电路符号 碳化硅(SiC)MOSFET 的电路符号与传统的硅 MOSFET 的符号类似，只是在符号上加上了一些特殊的标记来表示其特性。

• SiC芯片制造的主要6个环节 SiC芯片制造的主要6个具体流程：前处理，晶圆处理，晶体生长，集成电路设计与制作，晶片测试，整合。

• Cascode SiC会比普通SiC速度更快吗？ Cascode SiC（碳化硅共源共栅）结构在某些情况下可能会比普通 SiC 器件具有更快的开关速度。Cascode 结构结合了 Si（硅）MOSFET 和 SiC 器件的特点，通过优化的设计和驱动方式，有可能实现更低的导通电阻、更快的开关转换和更低的开关损耗。

• 碳化硅(SiC)衬底片前景分享 碳化硅（SiC）衬底片是制造SiC器件的关键材料之一，它可以提供高度晶格匹配、低缺陷密度和高质量的表面平整度。随着碳化硅功率器件市场的不断扩大，碳化硅衬底片也得到了广泛应用，并在未来几年内有望继续保持快速增长。

• 单FET,MOSFET管应用场景有什么区别？ 单FET和MOSFET管在开关电路和功率放大器等应用中具有很广泛的应用前景，具体的选择要根据具体的应用场景和需求来决定。

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