FP15R12W1T4,英飞凌,IGBT 模块

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  FP25R12W2T4

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  FF100R12RT4

  IGBT 模块 ,100A ,半桥，2单元 ,1200V ,94*34*30.5mm

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  FS35R12W1T4

  IGBT 模块 ,35A0 ,三相全桥，6单元 ,1200V ,48*33.8*15.5mm

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  LEGM35TD120E1HZ

  IGBT 模块 ,35A0 ,三相全桥，6单元 ,1200V ,48*33.8*15.5mm

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  LEGM15BE120E1HZ

  IGBT 模块 ,15A ,三相全桥+制动+二极管整流桥 ,1200V ,48*33.8*15.5mm

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  LEGM100BH120L1H

  IGBT 模块 ,100A ,半桥，2单元 ,1200V ,94*34*30.5mm

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  LEGM25BE120E2HZ

  IGBT 模块 ,25A ,三相全桥+制动+二极管整流桥 ,1200V ,56.7*48*15.5mm

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• 碳化硅(SiC)MOSFET芯片的设计与制造过程 对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求。这篇文章将为您介绍SiC MOSFET器件设计和制造流程。

• 碳化硅(SiC)电源管理解决方案搭配 碳化硅(SiC)解决方案支持以更小、更轻和更高效的电气方案取代飞机的气动和液压系统，为机载交流发电机、执行机构和辅助动力装置（APU）供电。这类解决方案还可以减少这些系统的维护需求。但是，SiC技术最显著的贡献体现在其所肩负实现商用运输车辆电气化的使命上，这些车辆是世界上最大的GHG排放源之一。随着1700V金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和可配置数字栅极驱动技术的问世，现今的SiC解决方案使设计人员能够让这些系统以最少的能源消耗产生最大的生产力。

• SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作环境与应用市场 SiC与MOSFET相比完美地解决了硅基中高压与高频很难同时实现这一难题，基于与高压中频兼容, SiC-MOSFET并以其高效率小体积等特点成为电动汽车，充电桩和光伏逆变器（不考虑成本的话）的最优方案；

• 碳化硅(SiC)MOSFET的反向恢复电流与电性测试项目Vgs SiC MOSFET的电性测试项目Vgs主要指门源电压（Gate-Source Voltage）。反向恢复电流（Reverse Recovery Current，简称Irr）是指在二极管反向恢复过程中，流过二极管的电流。

• 为什么SiC MOS负压高会影响阀值漂移 SiC MOSFET 被负压影响阀值漂移是因为这种器件具有较高的漏电流，这会导致控制端电压与源端电压之间的差值变小，从而影响 MOSFET 的开关性能。此外，高负压还可能导致 MOSFET 进入破裂模式，并引发其他不良影响。

• 碳化硅(SiC)衬底片前景分享 碳化硅（SiC）衬底片是制造SiC器件的关键材料之一，它可以提供高度晶格匹配、低缺陷密度和高质量的表面平整度。随着碳化硅功率器件市场的不断扩大，碳化硅衬底片也得到了广泛应用，并在未来几年内有望继续保持快速增长。

• P沟道增强型VDS和CGS计算方式 在P沟道增强型场效应晶体管（P-Channel Enhanced Mode FET）中，VDS代表的是漏极（Drain）和源极（Source）之间的电压，CGS代表的是栅极（Gate）和源极之间的电容。计算VDS时，需要考虑P-Channel Enhanced Mode FET的工作状态，一般情况下可以采用以下公式进行计算：

• 碳化硅(SiC)MOSFET在新能源充电桩的广泛应用 碳化硅功率器件涵盖650V/2A-100A，1200V/2A-90A，1700V/5A-80A等系列，产品已经投入批量生产，产品完全可以对标国际品牌同行的先进品质及水平。先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级、车规级可靠性测试的碳化硅MOSFET系列产品，性能达到国际先进水平，应用于太阳能逆变电源、新能源电动汽车及充电桩、智能电网、高频电焊、轨道交通、工业控制特种电源、国防军工等领域。

• 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)到底有哪些区别？ 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶体管这两种化合物半导体器件已作为方案出现。这些器件与长使用寿命的硅功率横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) MOSFET和超级结MOSFET竞争。GaN和SiC器件在某些方面是相似的，但也有很大的差异。

• 数字信号可以经过隔离芯片吗 数字信号可以经过隔离芯片吗？答案是可以的。数字信号可以经过隔离芯片进行传输。隔离芯片主要用于将信号隔离开来，以达到电气隔离、地隔离或光隔离等的目的。隔离芯片通常由两个部分组成：隔离前端和隔离后端。

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