LEGM35TD120E1HZ,丽晶美能,IGBT 模块

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  LEGM15BE120E1HZ

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  LEGM25BE120E2HZ

  IGBT 模块 ,25A ,三相全桥+制动+二极管整流桥 ,1200V ,56.7*48*15.5mm

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  FP15R12W1T4

  IGBT 模块 ,15A ,三相全桥+制动+二极管整流桥 ,1200V ,48*33.8*15.5mm

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  FF100R12RT4

  IGBT 模块 ,100A ,半桥，2单元 ,1200V ,94*34*30.5mm

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  FP25R12W2T4

  IGBT 模块 ,25A ,三相全桥+制动+二极管整流桥 ,1200V ,56.7*48*15.5mm

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  FS35R12W1T4

  IGBT 模块 ,35A0 ,三相全桥，6单元 ,1200V ,48*33.8*15.5mm

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• 低感SiC 功率模块介绍 低感SiC功率模块指的是使用硅碳化物（SiC）作为半导体材料的功率模块，具有较低的电感值。与传统的硅（Si）功率模块相比，低感SiC功率模块具有更高的开关速度和更低的开关损耗，从而提高了系统的效率和可靠性。

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• 碳化硅(SiC)衬底片前景分享 碳化硅（SiC）衬底片是制造SiC器件的关键材料之一，它可以提供高度晶格匹配、低缺陷密度和高质量的表面平整度。随着碳化硅功率器件市场的不断扩大，碳化硅衬底片也得到了广泛应用，并在未来几年内有望继续保持快速增长。

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• 碳化硅(SiC)MOSFET在新能源充电桩的广泛应用 碳化硅功率器件涵盖650V/2A-100A，1200V/2A-90A，1700V/5A-80A等系列，产品已经投入批量生产，产品完全可以对标国际品牌同行的先进品质及水平。先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级、车规级可靠性测试的碳化硅MOSFET系列产品，性能达到国际先进水平，应用于太阳能逆变电源、新能源电动汽车及充电桩、智能电网、高频电焊、轨道交通、工业控制特种电源、国防军工等领域。

• 碳化硅(SiC)电源管理解决方案搭配 碳化硅(SiC)解决方案支持以更小、更轻和更高效的电气方案取代飞机的气动和液压系统，为机载交流发电机、执行机构和辅助动力装置（APU）供电。这类解决方案还可以减少这些系统的维护需求。但是，SiC技术最显著的贡献体现在其所肩负实现商用运输车辆电气化的使命上，这些车辆是世界上最大的GHG排放源之一。随着1700V金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和可配置数字栅极驱动技术的问世，现今的SiC解决方案使设计人员能够让这些系统以最少的能源消耗产生最大的生产力。

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