江苏长晶科技(JSCJ)作为国内功率半导体领域的领军企业,通过“设计制造封测”垂直整合(IDM)模式,形成了多维度技术优势｡其核心优势产品可系统归纳如下:
一､分立器件与功率半导体
- 高性能二极管
快恢复二极管(FRD):采用平面/trench结构,反向恢复时间仅5ns,正向压降低至0.3V0.8V,耐压达300V,支持高频应用(如新能源汽车OBC和工业电源模块),并通过车规级AECQ验证｡
肖特基二极管(SBD)与TVS二极管:具备低导通损耗(VF比同类低25%)､高结温(175℃)特性,适用于消费电子电源保护｡
- MOSFET产品矩阵
中低压沟槽MOSFET:通过减小栅漏电容提升开关速度,降低能耗30%,应用于电机驱动和电源管理｡
超结MOSFET(SJMOS):采用超结结构设计,导通电阻更低,抗雪崩能力强,车规级产品用于电动助力转向(EPS)系统,实现精准电机控制｡
晶圆级封装MOSFET:国内首款打破国际垄断的产品,体积小､散热优,半年销售额破亿,主导高端手机/穿戴设备电池管理｡
- IGBT单管及模块
FST3.0系列IGBT:采用微沟槽栅(1.6μm Pitch)和场终止技术,通态/开关损耗降低10%,支持600V1200V全电压覆盖｡
光伏领域:适配不同逆变需求,提升千分之一转换效率即可显著降低电站成本｡
新能源汽车主驱系统:替代进口品牌,已进入比亚迪等Tier 1供应链,延长续航里程｡
二､电源管理IC
- 低压差线性稳压器(LDO)
CJ6214系列:PSRR达90dB@1kHz,防过冲设计,适用于笔记本/平板电脑｡
CJ6216系列:输出噪声仅4.5μVRMS,用于智能手机摄像头模组等精密电路｡
CJ6111系列:静态功耗0.8μA,延长穿戴设备/电子烟电池寿命｡
- DCDC转换器与锂电保护IC
新一代100V/30V平台DCDC转换器提升能效25%,支持快充和新能源车电源系统｡
三､第三代半导体与晶圆制造能力
- 碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)
SiC肖特基二极管已量产,应用于高压场景(如充电桩);GaN HEMT和SiC MOSFET技术储备中,瞄准新能源与数据中心｡
- 自主晶圆制造
通过子公司新顺微提供5/6英寸晶圆,覆盖二极管､三极管､MOSFET晶圆:
优化外延层工艺,提升二极管耐压与恢复速度;
三极管晶圆放大倍数达100300,抗干扰性强,适用于工业传感器｡
核心优势总结
| 产品线 | 技术突破 | 应用领域 |
| IGBT模块 | FST3.0微沟槽栅设计,损耗降10% | 新能源车､光伏逆变 |
| 晶圆级MOSFET | 国内首款国产替代,超薄封装 | 高端手机/穿戴设备 |
| 车规二极管/FRD | AECQ认证,耐压300V,恢复时间5ns | 汽车OBC､工业电源 |
| 超低功耗LDO | 静态电流0.8μA,PSRR>90dB | 穿戴设备､精密电子 |
长晶科技通过IDM模式实现全链自主(晶圆制造→封测),结合车规级认证与定制化设计(如光伏专用IGBT),在国产替代中占据高地｡其产品结构持续向高毛利领域(汽车电子占比目标30%)倾斜,未来随8英寸晶圆厂投产,产能与技术壁垒将进一步强化｡
