以下是常见的开关二极管型号及其特性,除1N4148外,其他型号覆盖高频､高压､微型化等不同应用场景:
一､高频高速型
- 1SS135 / 1SS153 / BA182
专为高频电路设计,导通电阻低至0.7Ω,关闭时极间电容仅0.7pF,适合射频信号切换(如收音机波段切换)｡
1SS314:反向恢复时间1ns,高频性能优于1N4148(4ns),常用于高端通信设备｡
- HSC277 / DAP236U
低反向恢复电荷(Qc),支持超高速开关,适用于高频电源模块和精密信号处理电路｡
二､高压高耐压型
- 东芝 HN1D05FE
额定反向电压400V,漏电流仅0.1μA,采用超薄SOT563封装(1.6mm×1.6mm),适用于LED驱动､工业电源等高压场景｡
内置双二极管结构,减少电路元件数量,优化散热性能｡
- Vishay SiC肖特基二极管(如VSSC240FA65)
采用碳化硅(SiC)技术,耐压650V/1200V,支持高频开关(QC低至56nC),适用于光伏逆变器､充电桩等高功率场景｡
三､微型贴片型
- 罗姆 UMN10N / UMN20N / UMR12N
SOT363封装,尺寸小巧,功耗仅200mW,耐压80V,抗浪涌电流高达4000mA,适用于便携设备和高速数字电路｡
UMN10N反向恢复时间4ns,兼顾高频与低损耗特性｡
- 厚膜封装二极管(如1206 / 0805)
尺寸与贴片电阻兼容(如1206封装为3.2mm×1.6mm),采用银胶焊接技术,抛料率低于0.2%,抗机械冲击性强,适合汽车电子等高振动环境｡
四､多引脚集成型
- SOT23封装二极管(如MMBD4148CA)
三引脚设计,集成双二极管,支持复合功能模块,常用于逻辑电路和电源保护｡
典型参数:反向电压100V,平均电流200mA,正向压降1V｡
- DO214(SMA/SMB/SMC)
功率型贴片封装,支持1A以上电流,散热性能优异,常见于电源模块的大电流开关电路｡
五､宽温军工级
- 1N400X系列
耐压50V1000V,虽为整流二极管,但部分场景可替代开关管,适用于工业电源和宽温环境(55℃至150℃)｡
- 1SV99 / BA482484
军工级温度范围,极间电容小,用于精密仪器和航空航天设备的高频信号处理｡
封装与应用建议
高频场景:优先选择1SS系列或SOD323封装器件,降低寄生参数影响｡
高压需求:东芝HN1D05FE或Vishay SiC二极管,兼顾耐压与效率｡
微型化设计:SOT363或厚膜0603封装,节省PCB空间｡
工业环境:厚膜封装或DO214,抗冲击性强且散热佳｡
以上型号可根据具体参数(如反向电压､开关速度､封装尺寸)结合厂商手册选择,部分器件需注意高频特性与普通二极管的差异(如稳压管不适用于高频开关)｡
