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肖特基二极管因其低正向压降和高速开关特性，广泛应用于电源整流、续流、保护、RF检测等场合。其封装形式多样，主要根据功耗（电流）、散热需求、空间限制和安装方式（通孔或贴片）来选择。以下是一些最常用且具有代表性的封装类型：
肖特基二极管凭借其独特的物理结构（金属-半导体结而非PN结），拥有几个关键特性：极低的正向导通压降（通常0.15V-0.45V）、超快的开关速度（几乎没有反向恢复时间）、较高的正向浪涌承受能力。 但同时，它的反向漏电流相对较大，反向击穿电压通常较低（一般低于200V，常见多在100V以下）。
肖特基二极管作为一种重要的半导体器件，其关键参数决定了它在电路中的性能和适用场景。以下是肖特基二极管的主要参数：
肖特基二极管凭借其低正向压降、快速开关速度和高频性能，广泛应用于电源整流、电路保护和信号处理等领域。不同型号针对特定场景设计，以下按功率等级和应用场景分类介绍主流型号及其特性，供参考：
肖特基二极管作为一种高效、高频的半导体器件，在电源管理、汽车电子、消费电子等领域应用广泛。其品牌厂家可分为国际领先企业和快速崛起的国产厂商两大类，各自在技术路线、产品定位和市场策略上形成差异化布局。
肖特基二极管（Schottky Diode），以其独特的金属-半导体结（而非标准的P-N结）结构，在电子电路中扮演着几个关键且不可替代的角色。它的核心作用源于其固有的物理特性，主要包括以下几点：
肖特基二极管（Schottky Barrier Diode，SBD）是一种基于金属与半导体接触形成的肖特基势垒原理工作的二极管，具有低正向压降、高开关速度、低反向恢复时间等显著特性，广泛应用于高频整流、开关电源、续流二极管等电子电路中。以下从定义、特性、应用领域及优缺点比较等方面展开分析：
肖特基二极管和碳化硅肖特基二极管是两种不同类型的二极管。
