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BAT54A,晶导,肖特基二极管

BAT54A

肖特基二极管 ,BAT54C ,VR:30V ,IO:200mA ,VF:1V ,PD:200mW ,SOT-23,KL2

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规格书： BAT54_A_C_S_SOT23.pdf

产品编号：	DK-K16430V0A200260202JD
制造商产品编号：	BAT54A
制造商：	晶导
系列：	晶导-肖特基二极管
产品类型：	肖特基二极管
工作电压：	30V
工作电流：	200mA
压降(VF) ：	1V
功率耗散：	200mW
封装：	SOT-23
说明：	肖特基二极管 ,BAT54C ,VR:30V ,IO:200mA ,VF:1V ,PD:200mW ,SOT-23,KL2

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属性名称	属性值
制造商	晶导
产品系列	晶导-肖特基二极管
产品类别	肖特基二极管
欧盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
欧盟REACH法规	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

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BAT54

肖特基二极管 ,BAT54C ,VR:30V ,IO:200mA ,VF:1V ,PD:200mW ,SOT-23,KL1

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BAT54S

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规格书	BAT54_A_C_S_SOT23.pdf

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{{ isCn?'￥':'$'}}{{ isCn?product.price:product.usdPrice}}

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{{isCn?'￥':'$'}}{{ isCn?product.subTotal:product.usdSubTotal}}

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