华年商城欢迎你！ 0755-23173910

中文 /English

{{searchSelectTypeText}}

搜索

合金电阻精密电阻保险丝华德天二分流器贴片保险丝

购物车 {{cartCount}}

你当前的浏览器版本过低或不支持。请升级或更换浏览器。推荐浏览器 Chrome Edge。

MMST2907A,长电,三极管（晶体管）

MMST2907A

三极管（晶体管） ,MMST2907A ,PNP ,VCEO:60V ,VCBO: 60V ,200mW ,600mA ,SOT-323

✖

图像仅供参考详情请参照图纸

规格书： MMST2907A_SOT-323

产品编号：	QT-TQT671P40VC29060102CJ
制造商产品编号：	MMST2907A
制造商：	长电
系列：	长电-三极管（晶体管）
产品类型：	三极管（晶体管）
极性：	PNP
发射极电压（‌VCEO）‌ ：	60V
基极电压（‌VCBO）‌ ：	60V
耗散功率：	200mW
封装：	SOT-323
说明：	三极管（晶体管） ,MMST2907A ,PNP ,VCEO:60V ,VCBO: 60V ,200mW ,600mA ,SOT-323

系列介绍 查找相似

属性名称	属性值
制造商	长电
产品系列	长电-三极管（晶体管）
产品类别	三极管（晶体管）
欧盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
欧盟REACH法规	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

系列介绍 查找相似

文件

文件类型	文件名
规格书	MMST2907A_SOT-323

出货周期：预计发货日期 2025-08-28

价格分段

含税单价

5

￥0.290403

20

￥0.205702

100

￥0.181502

300

￥0.133101

价格分段

含税单价

1000

￥0.102851

3000

￥0.084701

更多数量询价

* 采购数量：

最小包装量：3000

最小订货量： 3000

最小订货量：5

采购量小于库存时，可直接购买；订购时采购数为：N*最小订货量
采购量大于库存时，需要订购；订购时采购数为：N*最小包装量

采购数量

单价

统计

{{product.num}}

{{ isCn?'￥':'$'}}{{ isCn?product.price:product.usdPrice}}

{{isCn?'￥':'$'}}{{ isCn?product.subTotal:product.usdSubTotal}}

{{isCn?'￥':'$'}}{{ isCn?product.subTotal:product.usdSubTotal}}

出货周期： {{ (product.stock > 0 && product.num <= product.stock) ? '立即发出': '预计发货日期 ' + product.leadDate }}

加入购物车立即购买

产品推荐 厂商动态 产品应用

产品推荐 厂商动态 产品应用

碳化硅(SiC)MOSFET在新能源充电桩的广泛应用碳化硅功率器件涵盖650V/2A-100A，1200V/2A-90A，1700V/5A-80A等系列，产品已经投入批量生产，产品完全可以对标国际品牌同行的先进品质及水平。先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级、车规级可靠性测试的碳化硅MOSFET系列产品，性能达到国际先进水平，应用于太阳能逆变电源、新能源电动汽车及充电桩、智能电网、高频电焊、轨道交通、工业控制特种电源、国防军工等领域。

SiC碳化硅MOSFET器件介绍 SiC器件是一种新型的硅基 MOSFET，特别是 SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN结组成。

碳化硅(SiC)衬底片前景分享碳化硅（SiC）衬底片是制造SiC器件的关键材料之一，它可以提供高度晶格匹配、低缺陷密度和高质量的表面平整度。随着碳化硅功率器件市场的不断扩大，碳化硅衬底片也得到了广泛应用，并在未来几年内有望继续保持快速增长。

全SiC MOSFET模块实现系统的低损耗和小型化 SiC MOSFET模块是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半导体器件，在高速开关性能和高温环境中，优于目前主流应用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高额定电压和更大电流容量的工业设备应用中，SiC MOSFET模块可以满足包括轨道车用逆变器、转换器和光伏逆变器在内的应用需求，实现系统的低损耗和小型化。

碳化硅(SiC)二极管反向恢复原理详解碳化硅二极管是单极器件，因此与传统的硅快速恢复二极管(硅FRD)相比，碳化硅二极管具有理想的反向恢复特性。当器件从正向切换到反向阻断方向时，几乎没有反向恢复功率，反向恢复时间小于20ns，甚至600V10A碳化硅二极管的反向恢复时间也小于10ns。

SiC模块降低损耗方案有哪些？ SiC模块降低损耗方案主要考虑到以下4个方面：采用低电压、低频率设计，优化驱动程序，优化结构设计，采用低侧谐振技术。

选择氮化镓(SiC)mosfet的5种重要技巧为了证明您选择 SiC 作为开关模式设计的首选功率半导体是正确的，请考虑以下突出的特性。与标准或超级结 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的电压、更高的频率和更高的温度下运行。其他器件的大部分功率损耗在 SiC 器件中是不存在的，因此 SiC 器件在大多数应用中的效率可以达到 90% 以上。最初，SiC 器件比其他 MOSFET 或 IGBT 更昂贵。

高压SiC MOSFET器件为什么发展慢高压SiC MOSFET器件具有许多优势，例如低导通电阻、高温性能和高频特性等，因此在一些应用中有着广泛的前景，例如电动汽车、电力电子变换器和太阳能逆变器等。但是，这些器件的发展相对较慢，可能有以下几个原因：

碳化硅二极管：在光伏行业中的重要作用碳化硅(SiC)二极管具有高稳定性和高效率，因此它适用于各种光伏应用，如太阳能电池板和太阳能系统。例如，在太阳能电池板中，碳化硅二极管可以防止电流过大或过压，从而保护太阳能电池元件。在太阳能系统中，它也可以限制充电电流，控制电池的充电和放电过程。

SiC SBD和SiC MOSFET区别有哪些？ SiC SBD和SiC MOSFET是由极化硅碳化硅材料制成的芯片，具有较高的散热性和导电性能。其差异在于：

产品推荐 厂商动态 产品应用

产品编号： {{currentProduct.code}}

产品描述： {{currentProduct.descCn}}

采购数量： {{currentProduct.num}}

购物车（{{myCartItems.length}}项目）

总金额：

{{isCn?'￥':'$'}}{{cartProductTotal}}