华年商城欢迎你！ 0755-23173910

中文 /English

{{searchSelectTypeText}}

搜索

华德合金电阻天二贴片保险丝分流器保险丝精密电阻

购物车 {{cartCount}}

你当前的浏览器版本过低或不支持。请升级或更换浏览器。推荐浏览器 Chrome Edge。

MMBT4401,长电,三极管（晶体管）

MMBT4401

三极管（晶体管） ,MMBT4401 ,NPN ,VCEO:40V ,VCBO: 60V ,300mW ,600mA ,SOT-23

✖

图像仅供参考详情请参照图纸

规格书： MMBT4401_SOT-23.pdf

产品编号：	QT-TQT653N40VC02020101CJ
制造商产品编号：	MMBT4401
制造商：	长电
系列：	长电-三极管（晶体管）
产品类型：	三极管（晶体管）
极性：	NPN
发射极电压（‌VCEO）‌ ：	40V
基极电压（‌VCBO）‌ ：	60V
耗散功率：	300mW
封装：	SOT-23
说明：	三极管（晶体管） ,MMBT4401 ,NPN ,VCEO:40V ,VCBO: 60V ,300mW ,600mA ,SOT-23

系列介绍 查找相似

属性名称	属性值
制造商	长电
产品系列	长电-三极管（晶体管）
产品类别	三极管（晶体管）
欧盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
欧盟REACH法规	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

系列介绍 查找相似

文件

文件类型	文件名
规格书	MMBT4401_SOT-23.pdf

出货周期：预计发货日期 2025-09-09

价格分段

含税单价

5

￥0.253572

20

￥0.179614

100

￥0.158483

300

￥0.116221

价格分段

含税单价

1000

￥0.089807

3000

￥0.073959

更多数量询价

* 采购数量：

最小包装量：3000

最小订货量： 3000

最小订货量：5

采购量小于库存时，可直接购买；订购时采购数为：N*最小订货量
采购量大于库存时，需要订购；订购时采购数为：N*最小包装量

采购数量

单价

统计

{{product.num}}

{{ isCn?'￥':'$'}}{{ isCn?product.price:product.usdPrice}}

{{isCn?'￥':'$'}}{{ isCn?product.subTotal:product.usdSubTotal}}

{{isCn?'￥':'$'}}{{ isCn?product.subTotal:product.usdSubTotal}}

出货周期： {{ (product.stock > 0 && product.num <= product.stock) ? '立即发出': '预计发货日期 ' + product.leadDate }}

加入购物车立即购买

产品推荐 厂商动态 产品应用

产品推荐 厂商动态 产品应用

碳化硅(SiC)二极管的应用碳化硅MOSFET模块在光伏、风电、电动汽车及轨道交通等中高功率电力系统应用上具有巨大的优势。碳化硅器件的高压高频和高效率的优势，可以突破现有电动汽车电机设计上因器件性能而受到的限制，这是目前国内外电动汽车电机领域研发的重点。

碳化硅(SiC)二极管的测试与检测方法碳化硅（SiC）二极管具有较低的开关损耗、高的反向耐压和热稳定性，已经得到广泛应用。下面是SiC二极管的使用方法和检测方法：

碳化硅(SiC)MOSFET在新能源充电桩的广泛应用碳化硅功率器件涵盖650V/2A-100A，1200V/2A-90A，1700V/5A-80A等系列，产品已经投入批量生产，产品完全可以对标国际品牌同行的先进品质及水平。先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级、车规级可靠性测试的碳化硅MOSFET系列产品，性能达到国际先进水平，应用于太阳能逆变电源、新能源电动汽车及充电桩、智能电网、高频电焊、轨道交通、工业控制特种电源、国防军工等领域。

SiC碳化硅MOSFET器件介绍 SiC器件是一种新型的硅基 MOSFET，特别是 SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN结组成。

碳化硅(SiC)技术壁垒分析：碳化硅技术壁垒是什么沟槽型碳化硅功率器件具有更大制造难度。根据器件结构的不同，碳化硅功率器件主要可以分为平面型器件和沟槽型器件。平面型碳化硅功率器件具有较好的单位一致性，制作工艺简单，但易产生 JFET 效应，具有较高的寄生电容和通态电阻。相较于平面型器件，沟槽型碳化硅功率器件单位一致性较低，具有更复杂的制作工艺，但沟槽结构有利于增加器件单位密度，不易产生 JFET 效应，有利于解决沟道迁移率低等问题，具有导通电阻小、寄生电容小、开关能耗低等优良性能，具有显著的成本优势和性能优势，已成为碳化硅功率器件发展的主流方向。

碳化硅(SiC)陶瓷应用半导体碳化硅(SiC)陶瓷是一种半导体材料，在很多半导体应用中有广泛的使用。以下是一些典型的碳化硅陶瓷半导体应用：

碳化硅(SiC)MOSFET的反向恢复电流与电性测试项目Vgs SiC MOSFET的电性测试项目Vgs主要指门源电压（Gate-Source Voltage）。反向恢复电流（Reverse Recovery Current，简称Irr）是指在二极管反向恢复过程中，流过二极管的电流。

SiC MOSFET 比 Si MOSFET有哪些优势 SiC MOSFETs（碳化硅MOS场效应管）与Si MOSFETs（硅MOS场效应管）相比，有许多优势，具体优势如下：

什么是SiC MOSFET？ SIC MOSFET（Silicon Carbide MOSFET）是一种新型的半导体器件，具有较高的热稳定性、较高的电导率和较高的高频特性。学习 SIC MOSFET 包括以下几个方面：

P沟道增强型VDS和CGS计算方式在P沟道增强型场效应晶体管（P-Channel Enhanced Mode FET）中，VDS代表的是漏极（Drain）和源极（Source）之间的电压，CGS代表的是栅极（Gate）和源极之间的电容。计算VDS时，需要考虑P-Channel Enhanced Mode FET的工作状态，一般情况下可以采用以下公式进行计算：

产品推荐 厂商动态 产品应用

产品编号： {{currentProduct.code}}

产品描述： {{currentProduct.descCn}}

采购数量： {{currentProduct.num}}

购物车（{{myCartItems.length}}项目）

总金额：

{{isCn?'￥':'$'}}{{cartProductTotal}}