2SC4097_长电_三极管（晶体管）_NPN_32V_参数

属性名称	属性值
制造商	长电
产品系列	长电-三极管（晶体管）
产品类别	三极管（晶体管）
欧盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
欧盟REACH法规	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

文件类型	文件名
规格书	2SC4097_SOT-323

出货周期：预计发货日期 2025-09-07

在线询价

产品推荐 厂商动态 产品应用

2SA1013

三极管（晶体管） ,2SA1013 ,PNP ,VCEO:160V ,VCBO: 160V ,500mW ,1000mA ,SOT-89-3L,O

￥0.000000 了解更多
KTA1504

三极管（晶体管） ,KTA1504 ,PNP ,VCEO:50V ,VCBO: 50V ,150mW ,150mA ,SOT-23,ASO

￥0.000000 了解更多
BCX70J

三极管（晶体管） ,BCX70J ,NPN ,VCEO:45V ,VCBO: 45V ,250mW ,200mA ,SOT-23

￥0.000000 了解更多
BCP68

三极管（晶体管） ,BCP68 ,NPN ,VCEO:20V ,VCBO: 32V ,1000mW ,1000mA ,SOT-223,16

￥0.000000 了解更多
2SB1197

三极管（晶体管） ,2SB1197 ,PNP ,VCEO:32V ,VCBO: 40V ,200mW ,800mA ,SOT-23,AHQ

￥0.000000 了解更多
2SA1577

三极管（晶体管） ,2SA1577 ,PNP ,VCEO:32V ,VCBO: 40V ,200mW ,500mA ,SOT-323,HP

￥0.000000 了解更多
BCP55

三极管（晶体管） ,BCP55 ,NPN ,VCEO:60V ,VCBO: 60V ,1500mW ,1000mA ,SOT-223,10

￥0.000000 了解更多
PZT4401

三极管（晶体管） ,PZT4401 ,NPN ,VCEO:40V ,VCBO: 60V ,1000mW ,600mA ,SOT-223

￥0.000000 了解更多
FMMT493

三极管（晶体管） ,FMMT493 ,NPN ,VCEO:100V ,VCBO: 120V ,250mW ,1000mA ,SOT-23

￥0.000000 了解更多
2SC1623

三极管（晶体管） ,2SC1623 ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,200mW ,100mA ,SOT-323,L7

￥0.000000 了解更多
MMBTA56

三极管（晶体管） ,MMBTA56 ,PNP ,VCEO:80V ,VCBO: 80V ,225mW ,500mA ,SOT-23

￥0.000000 了解更多
KTC3876

三极管（晶体管） ,KTC3876 ,NPN ,VCEO:30V ,VCBO: 35V ,200mW ,500mA ,SOT-23,WG

￥0.000000 了解更多
MMST4403

三极管（晶体管） ,MMST4403 ,PNP ,VCEO:40V ,VCBO: 40V ,200mW ,600mA ,SOT-323

￥0.000000 了解更多
FMMT619

三极管（晶体管） ,FMMT619 ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 50V ,350mW ,2000mA ,SOT-23

￥0.000000 了解更多
2PD601AW

三极管（晶体管） ,2PD601AW ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,200mW ,100mA ,SOT-323,6F

￥0.000000 了解更多
MMBT3906T

三极管（晶体管） ,MMBT3906T ,PNP ,VCEO:40V ,VCBO: 40V ,150mW ,200mA ,SOT-523

￥0.000000 了解更多
2SD0602

三极管（晶体管） ,2SD0602 ,NPN ,VCEO:25V ,VCBO: 30V ,200mW ,500mA ,SOT-23,WR1

￥0.000000 了解更多
BCP53

三极管（晶体管） ,BCP53 ,PNP ,VCEO:80V ,VCBO: 100V ,1500mW ,1000mA ,SOT-223,10

￥0.000000 了解更多
2SB1218A

三极管（晶体管） ,2SB1218A ,PNP ,VCEO:45V ,VCBO: 45V ,150mW ,100mA ,SOT-323,BS1

￥0.000000 了解更多
3DK2222A

三极管（晶体管） ,3DK2222A ,NPN ,VCEO:40V ,VCBO: 75V ,225mW ,600mA ,SOT-23

￥0.000000 了解更多

产品推荐 厂商动态 产品应用

碳化硅(SiC)MOSFET在新能源充电桩的广泛应用碳化硅功率器件涵盖650V/2A-100A，1200V/2A-90A，1700V/5A-80A等系列，产品已经投入批量生产，产品完全可以对标国际品牌同行的先进品质及水平。先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级、车规级可靠性测试的碳化硅MOSFET系列产品，性能达到国际先进水平，应用于太阳能逆变电源、新能源电动汽车及充电桩、智能电网、高频电焊、轨道交通、工业控制特种电源、国防军工等领域。

SiC碳化硅MOSFET器件介绍 SiC器件是一种新型的硅基 MOSFET，特别是 SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN结组成。

碳化硅(SiC)衬底片前景分享碳化硅（SiC）衬底片是制造SiC器件的关键材料之一，它可以提供高度晶格匹配、低缺陷密度和高质量的表面平整度。随着碳化硅功率器件市场的不断扩大，碳化硅衬底片也得到了广泛应用，并在未来几年内有望继续保持快速增长。

全SiC MOSFET模块实现系统的低损耗和小型化 SiC MOSFET模块是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半导体器件，在高速开关性能和高温环境中，优于目前主流应用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高额定电压和更大电流容量的工业设备应用中，SiC MOSFET模块可以满足包括轨道车用逆变器、转换器和光伏逆变器在内的应用需求，实现系统的低损耗和小型化。

碳化硅(SiC)二极管反向恢复原理详解碳化硅二极管是单极器件，因此与传统的硅快速恢复二极管(硅FRD)相比，碳化硅二极管具有理想的反向恢复特性。当器件从正向切换到反向阻断方向时，几乎没有反向恢复功率，反向恢复时间小于20ns，甚至600V10A碳化硅二极管的反向恢复时间也小于10ns。

SiC模块降低损耗方案有哪些？ SiC模块降低损耗方案主要考虑到以下4个方面：采用低电压、低频率设计，优化驱动程序，优化结构设计，采用低侧谐振技术。

选择氮化镓(SiC)mosfet的5种重要技巧为了证明您选择 SiC 作为开关模式设计的首选功率半导体是正确的，请考虑以下突出的特性。与标准或超级结 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的电压、更高的频率和更高的温度下运行。其他器件的大部分功率损耗在 SiC 器件中是不存在的，因此 SiC 器件在大多数应用中的效率可以达到 90% 以上。最初，SiC 器件比其他 MOSFET 或 IGBT 更昂贵。

高压SiC MOSFET器件为什么发展慢高压SiC MOSFET器件具有许多优势，例如低导通电阻、高温性能和高频特性等，因此在一些应用中有着广泛的前景，例如电动汽车、电力电子变换器和太阳能逆变器等。但是，这些器件的发展相对较慢，可能有以下几个原因：

碳化硅二极管：在光伏行业中的重要作用碳化硅(SiC)二极管具有高稳定性和高效率，因此它适用于各种光伏应用，如太阳能电池板和太阳能系统。例如，在太阳能电池板中，碳化硅二极管可以防止电流过大或过压，从而保护太阳能电池元件。在太阳能系统中，它也可以限制充电电流，控制电池的充电和放电过程。

SiC SBD和SiC MOSFET区别有哪些？ SiC SBD和SiC MOSFET是由极化硅碳化硅材料制成的芯片，具有较高的散热性和导电性能。其差异在于：

产品编号：	QT-TQT239N32VC01060502CJP
制造商产品编号：	2SC4097
制造商：	长电
系列：	长电-三极管（晶体管）
产品类型：	三极管（晶体管）
极性：	NPN
发射极电压（‌VCEO）‌ ：	32V
基极电压（‌VCBO）‌ ：	40V
耗散功率：	200mW
封装：	SOT-323
说明：	三极管（晶体管） ,2SC4097 ,NPN ,VCEO:32V ,VCBO: 40V ,200mW ,500mA ,SOT-323,CP

2SC4097,长电,三极管（晶体管）

2SC4097

系列介绍 查找相似

系列介绍 查找相似

文件

产品推荐 厂商动态 产品应用

产品推荐 厂商动态 产品应用

产品推荐 厂商动态 产品应用

2SC4097,长电,三极管（晶体管）

2SC4097

系列介绍 查找相似

系列介绍 查找相似

文件

相关系列

产品推荐 厂商动态 产品应用

产品推荐 厂商动态 产品应用

产品推荐 厂商动态 产品应用

系列介绍查找相似

系列介绍查找相似

产品推荐厂商动态产品应用

产品推荐厂商动态产品应用

产品推荐厂商动态产品应用