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C3M0380065E,广大,碳化硅MOSFET

C3M0380065E

碳化硅MOSFET ,C3M0380065E ,11A ,650V ,380mR ,TO-252

图像仅供参考 详情请参照图纸

产品编号: MOS-SM1740000N11A650027GD
制造商产品编号: C3M0380065E
制造商 : 广大
系列 : 广大-碳化硅MOS
产品类型 : 碳化硅MOSFET
电流(ID) : 11A
电压(V) : 650V
封装 : TO-252
说明: 碳化硅MOSFET ,C3M0380065E ,11A ,650V ,380mR ,TO-252

系列介绍 查找相似

属性名称 属性值
制造商 广大
产品系列 广大-碳化硅MOS
产品类别 碳化硅MOSFET
欧盟RoHS指令 符合(2011/65/EU)要求
欧盟REACH法规 不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

文件

文件类型 文件名
公司介绍 GD Profile_Intro.pdf
GD 公司简介.pdf
R10-0603-200RFAB001LCUH
高功率厚膜贴片电阻 ,0603 ,200R ,±1% ,0.33W ,- ,±100PPM
R12-0603-30R0F1V001LEAS
抗浪涌厚膜贴片电阻 ,0603 ,30R ,±1% ,1/4W(0.25W) ,- ,±100PPM
R13-0805-1K40D1W001LVST
抗硫化厚膜贴片电阻 ,0805 ,1.4K ,±0.5% ,1/8W ,- ,±100PPM
R13-1812-160KD1Q001LVST
抗硫化厚膜贴片电阻 ,1812 ,160K ,±0.5% ,3/4W(0.75W) ,- ,±100PPM
R27-1210-36K0F1V001EVTR
薄膜贴片电阻 ,1210 ,36K ,±1% ,1/4W(0.25W) ,- ,±10PPM
R31-1206-357KD1V001JTQV0
高压薄膜贴片电阻 ,1206 ,357K ,±0.5% ,1/4W(0.25W) ,-,700V ,±50PPM
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出货周期: 预计发货日期    2025-09-29

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