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JX7S0150R330T3,君芯,MOSFETS

JX7S0150R330T3

MOS ,JX7S0150R330T3 ,N-ch ,357W ,35A ,3300V ,TO-263-7

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公司介绍：公司简介.pdf

产品编号：	MOS-MM147N357W35A33223JX
制造商产品编号：	JX7S0150R330T3
制造商：	君芯
系列：	君芯-MOS
产品类型：	MOSFETS
类型：	N-ch
功率(PD) ：	357W
电流（ID) ：	35A
电压（V) ：	3300V
封装：	TO263-7
说明：	MOS ,JX7S0150R330T3 ,N-ch ,357W ,35A ,3300V ,TO-263-7

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属性名称	属性值
制造商	君芯
产品系列	君芯-MOS
产品类别	MOSFETS
欧盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
欧盟REACH法规	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

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{{ isCn?'￥':'$'}}{{ isCn?product.price:product.usdPrice}}

{{isCn?'￥':'$'}}{{ isCn?product.subTotal:product.usdSubTotal}}

{{isCn?'￥':'$'}}{{ isCn?product.subTotal:product.usdSubTotal}}

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