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74HC595D
更新时间 :2025-07-26
74HC595D,NXP,逻辑IC
74HC595D
✖
图像仅供参考 详情请参照图纸
规格书:
74HC_HCT595.pdf
产品编号:
IC19-HC595DO1604
制造商产品编号:
74HC595D
制造商 :
NXP
系列 :
NXP-逻辑IC
产品类型 :
逻辑IC
封装 :
SO16
说明:
74-逻辑集成电路 ,74HC595D ,SO16
系列介绍
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属性名称
属性值
制造商
NXP
产品系列
NXP-逻辑IC
产品类别
逻辑IC
欧盟RoHS指令
符合(2011/65/EU)要求
欧盟REACH法规
不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)
系列介绍
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文件
文件类型
文件名
规格书
74HC_HCT595.pdf
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高精密薄膜贴片电阻 ,2010 ,49.9K ,±0.1% ,1/4W(0.25W) ,- ,±25PPM
R13-0805-160KJ1V001LSTH
抗硫化厚膜贴片电阻 ,0805 ,160K ,±5% ,1/4W(0.25W) ,- ,±100PPM
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R28-0805-8R87F1U001JEAM
抗硫化金属薄膜贴片电阻 ,0805 ,8.87R ,±1% ,1/2W ,- ,±50PPM
R31-1210-255KCAB001GTQV0
高压薄膜贴片电阻 ,1210 ,255K ,±0.25% ,0.33W ,-,1000V ,±25PPM
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{{currentProduct.code}}
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{{currentProduct.descCn}}
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