华年商城欢迎你！ 0755-23173910

中文 /English

{{searchSelectTypeText}}

搜索

保险丝贴片保险丝精密电阻华德天二合金电阻分流器

购物车 {{cartCount}}

你当前的浏览器版本过低或不支持。请升级或更换浏览器。推荐浏览器 Chrome Edge。

CJ432,长电,电压基准电源芯片

CJ432

基准电源 CJ432 PD:500mW IO:100mA VImax:18V TO92

✖

图像仅供参考详情请参照图纸

规格书： CJ432_TO92.pdf

产品编号：	IC07-CJ432-TO92CJ
制造商产品编号：	CJ432
制造商：	长电
系列：	长电-基准电源
产品类型：	电压基准电源芯片
封装：	TO-92
产品编码：	CJ432
功率耗散：	PD:500mW
输出电流：	IO:100mA(0.1A)
工作电压：	18V
说明：	基准电源 CJ432 PD:500mW IO:100mA VImax:18V TO92

系列介绍 查找相似

属性名称	属性值
制造商	长电
产品系列	长电-基准电源
产品类别	电压基准电源芯片
欧盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
欧盟REACH法规	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

系列介绍 查找相似

文件

文件类型	文件名
规格书	CJ432_TO92.pdf

出货周期：预计发货日期 2025-08-21

在线询价

产品推荐 厂商动态 产品应用

产品推荐 厂商动态 产品应用

碳化硅(SiC)陶瓷应用半导体碳化硅(SiC)陶瓷是一种半导体材料，在很多半导体应用中有广泛的使用。以下是一些典型的碳化硅陶瓷半导体应用：

碳化硅(SiC)二极管的应用碳化硅MOSFET模块在光伏、风电、电动汽车及轨道交通等中高功率电力系统应用上具有巨大的优势。碳化硅器件的高压高频和高效率的优势，可以突破现有电动汽车电机设计上因器件性能而受到的限制，这是目前国内外电动汽车电机领域研发的重点。

碳化硅(SiC)衬底片前景分享碳化硅（SiC）衬底片是制造SiC器件的关键材料之一，它可以提供高度晶格匹配、低缺陷密度和高质量的表面平整度。随着碳化硅功率器件市场的不断扩大，碳化硅衬底片也得到了广泛应用，并在未来几年内有望继续保持快速增长。

SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作环境与应用市场 SiC与MOSFET相比完美地解决了硅基中高压与高频很难同时实现这一难题，基于与高压中频兼容, SiC-MOSFET并以其高效率小体积等特点成为电动汽车，充电桩和光伏逆变器（不考虑成本的话）的最优方案；

碳化硅(SiC)电源管理解决方案搭配碳化硅(SiC)解决方案支持以更小、更轻和更高效的电气方案取代飞机的气动和液压系统，为机载交流发电机、执行机构和辅助动力装置（APU）供电。这类解决方案还可以减少这些系统的维护需求。但是，SiC技术最显著的贡献体现在其所肩负实现商用运输车辆电气化的使命上，这些车辆是世界上最大的GHG排放源之一。随着1700V金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和可配置数字栅极驱动技术的问世，现今的SiC解决方案使设计人员能够让这些系统以最少的能源消耗产生最大的生产力。

氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)到底有哪些区别？氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶体管这两种化合物半导体器件已作为方案出现。这些器件与长使用寿命的硅功率横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) MOSFET和超级结MOSFET竞争。GaN和SiC器件在某些方面是相似的，但也有很大的差异。

碳化硅(SiC)技术壁垒分析：碳化硅技术壁垒是什么沟槽型碳化硅功率器件具有更大制造难度。根据器件结构的不同，碳化硅功率器件主要可以分为平面型器件和沟槽型器件。平面型碳化硅功率器件具有较好的单位一致性，制作工艺简单，但易产生 JFET 效应，具有较高的寄生电容和通态电阻。相较于平面型器件，沟槽型碳化硅功率器件单位一致性较低，具有更复杂的制作工艺，但沟槽结构有利于增加器件单位密度，不易产生 JFET 效应，有利于解决沟道迁移率低等问题，具有导通电阻小、寄生电容小、开关能耗低等优良性能，具有显著的成本优势和性能优势，已成为碳化硅功率器件发展的主流方向。

碳化硅(SiC)MOSFET在新能源充电桩的广泛应用碳化硅功率器件涵盖650V/2A-100A，1200V/2A-90A，1700V/5A-80A等系列，产品已经投入批量生产，产品完全可以对标国际品牌同行的先进品质及水平。先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级、车规级可靠性测试的碳化硅MOSFET系列产品，性能达到国际先进水平，应用于太阳能逆变电源、新能源电动汽车及充电桩、智能电网、高频电焊、轨道交通、工业控制特种电源、国防军工等领域。

碳化硅(SIC)MOSFET的电路符号碳化硅(SiC)MOSFET 的电路符号与传统的硅 MOSFET 的符号类似，只是在符号上加上了一些特殊的标记来表示其特性。

总结浪涌抑制都有哪些措施？产生浪涌的原因是多方面的，浪涌是一种上升速度高、持续时间短的尖峰脉冲。电网过压、开关打火、虬源反向、静电、电机/电源噪声等都是产生浪涌的因素。而浪涌保护器为电子设备的电源浪涌防护提供了一种简便、经济、可靠的防护方法。

产品推荐 厂商动态 产品应用

产品编号： {{currentProduct.code}}

产品描述： {{currentProduct.descCn}}

采购数量： {{currentProduct.num}}

购物车（{{myCartItems.length}}项目）

总金额：

{{isCn?'￥':'$'}}{{cartProductTotal}}