LM339,长电,比较器

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  LM393

  比较器 LM393 VIN(min):2V VIN(max):36V IIN:20mA SOP8

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• SiC MOS驱动设计 SiC mos驱动设计 SiC mos驱动设计是一个复杂的过程，需要考虑许多因素，如电气性能、热特性和封装选择。为了提高可靠性和性能，应该考虑以下几个方面：

• 碳化硅(SiC)二极管压降因素 “碳化硅二极管压降” 是指碳化硅二极管的电动势差。碳化硅二极管是一种半导体器件，具有P-N结结构，可以用于控制电流或电压。二极管压降是指在二极管正向导通状态下，二极管的P-N结之间的电动势差，即正向偏置电压。这是由于二极管中接触面的电势差导致的。

• 选择氮化镓(SiC)mosfet的5种重要技巧 为了证明您选择 SiC 作为开关模式设计的首选功率半导体是正确的，请考虑以下突出的特性。与标准或超级结 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的电压、更高的频率和更高的温度下运行。其他器件的大部分功率损耗在 SiC 器件中是不存在的，因此 SiC 器件在大多数应用中的效率可以达到 90% 以上。最初，SiC 器件比其他 MOSFET 或 IGBT 更昂贵。

• 碳化硅(SiC)MOSFET的反向恢复电流与电性测试项目Vgs SiC MOSFET的电性测试项目Vgs主要指门源电压（Gate-Source Voltage）。反向恢复电流（Reverse Recovery Current，简称Irr）是指在二极管反向恢复过程中，流过二极管的电流。

• 碳化硅(SiC)技术壁垒分析：碳化硅技术壁垒是什么 沟槽型碳化硅功率器件具有更大制造难度。根据器件结构的不同，碳化硅功率器 件主要可以分为平面型器件和沟槽型器件。平面型碳化硅功率器件具有较好的单 位一致性，制作工艺简单，但易产生 JFET 效应，具有较高的寄生电容和通态电 阻。相较于平面型器件，沟槽型碳化硅功率器件单位一致性较低，具有更复杂的 制作工艺，但沟槽结构有利于增加器件单位密度，不易产生 JFET 效应，有利于解 决沟道迁移率低等问题，具有导通电阻小、寄生电容小、开关能耗低等优良性能， 具有显著的成本优势和性能优势，已成为碳化硅功率器件发展的主流方向。

• 碳化硅(SIC)MOSFET的电路符号 碳化硅(SiC)MOSFET 的电路符号与传统的硅 MOSFET 的符号类似，只是在符号上加上了一些特殊的标记来表示其特性。

• SiC SBD和SiC MOSFET区别有哪些？ SiC SBD和SiC MOSFET是由极化硅碳化硅材料制成的芯片，具有较高的散热性和导电性能。 其差异在于：

• 碳化硅(SiC)二极管是什么？如何判断好坏 碳化硅（SiC）二极管是用碳化硅为原料制作而成的二极管。碳化硅二极管，号称反向恢复时间为零，是高效PFC boost电路的专用升压二极管。

• 肖特基二极管和碳化硅肖特基二极管的区别 肖特基二极管和碳化硅肖特基二极管是两种不同类型的二极管。

• SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作环境与应用市场 SiC与MOSFET相比完美地解决了硅基中高压与高频很难同时实现这一难题，基于与高压中频兼容, SiC-MOSFET并以其高效率小体积等特点成为电动汽车，充电桩和光伏逆变器（不考虑成本的话）的最优方案；

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