LM339,长电,比较器

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  LM393

  比较器 LM393 VIN(min):2V VIN(max):36V IIN:20mA SOP8

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• SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作环境与应用市场 SiC与MOSFET相比完美地解决了硅基中高压与高频很难同时实现这一难题，基于与高压中频兼容, SiC-MOSFET并以其高效率小体积等特点成为电动汽车，充电桩和光伏逆变器（不考虑成本的话）的最优方案；

• 碳化硅(SiC)技术壁垒分析：碳化硅技术壁垒是什么 沟槽型碳化硅功率器件具有更大制造难度。根据器件结构的不同，碳化硅功率器 件主要可以分为平面型器件和沟槽型器件。平面型碳化硅功率器件具有较好的单 位一致性，制作工艺简单，但易产生 JFET 效应，具有较高的寄生电容和通态电 阻。相较于平面型器件，沟槽型碳化硅功率器件单位一致性较低，具有更复杂的 制作工艺，但沟槽结构有利于增加器件单位密度，不易产生 JFET 效应，有利于解 决沟道迁移率低等问题，具有导通电阻小、寄生电容小、开关能耗低等优良性能， 具有显著的成本优势和性能优势，已成为碳化硅功率器件发展的主流方向。

• 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)到底有哪些区别？ 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶体管这两种化合物半导体器件已作为方案出现。这些器件与长使用寿命的硅功率横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) MOSFET和超级结MOSFET竞争。GaN和SiC器件在某些方面是相似的，但也有很大的差异。

• 碳化硅(SiC)陶瓷应用半导体 碳化硅(SiC)陶瓷是一种半导体材料，在很多半导体应用中有广泛的使用。以下是一些典型的碳化硅陶瓷半导体应用：

• SiC MOSFET和Si IGBT驱动电路差异对比 SiC MOSFET与Si IGBT都是电子产品发展不可或缺的产品，SiC MOSFET与Si IGBT有很多的共同特性也有差异，那么下面就对其产品的差异进行一下对比：

• 碳化硅(SiC)二极管反向恢复原理详解 碳化硅二极管是单极器件，因此与传统的硅快速恢复二极管(硅FRD)相比，碳化硅二极管具有理想的反向恢复特性。当器件从正向切换到反向阻断方向时，几乎没有反向恢复功率，反向恢复时间小于20ns，甚至600V10A碳化硅二极管的反向恢复时间也小于10ns。

• SiC MOS驱动设计 SiC mos驱动设计 SiC mos驱动设计是一个复杂的过程，需要考虑许多因素，如电气性能、热特性和封装选择。为了提高可靠性和性能，应该考虑以下几个方面：

• 碳化硅(SiC)电源管理解决方案搭配 碳化硅(SiC)解决方案支持以更小、更轻和更高效的电气方案取代飞机的气动和液压系统，为机载交流发电机、执行机构和辅助动力装置（APU）供电。这类解决方案还可以减少这些系统的维护需求。但是，SiC技术最显著的贡献体现在其所肩负实现商用运输车辆电气化的使命上，这些车辆是世界上最大的GHG排放源之一。随着1700V金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和可配置数字栅极驱动技术的问世，现今的SiC解决方案使设计人员能够让这些系统以最少的能源消耗产生最大的生产力。

• 碳化硅(SiC)二极管是什么？如何判断好坏 碳化硅（SiC）二极管是用碳化硅为原料制作而成的二极管。碳化硅二极管，号称反向恢复时间为零，是高效PFC boost电路的专用升压二极管。

• MOSFET vds 振铃是什么？ VDS 震铃是指在使用碳化硅 MOSFET 时，VDS（直流源漏电压）发生震荡的现象。这是由于 MOSFET 的特殊工作原理导致的，因为 MOSFET 是一种开关器件，它具有在开启和关闭状态间变化的能力。

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