华年商城欢迎你！ 0755-23173910

中文 /English

{{searchSelectTypeText}}

搜索

贴片保险丝华德合金电阻天二精密电阻分流器保险丝

购物车 {{cartCount}}

你当前的浏览器版本过低或不支持。请升级或更换浏览器。推荐浏览器 Chrome Edge。

BZT52C12S,长电,稳压二极管

BZT52C12S

稳压二极管 ,BZT52C12S ,12V ,200mW ,0.9V ,SOD323

✖

图像仅供参考详情请参照图纸

产品编号：	DZ-ZDZ12012V030V902CJ
制造商产品编号：	BZT52C12S
制造商：	长电
系列：	长电-BZT52C2V4S-C43
产品类型：	稳压二极管
产品编码：	BZT52C12S
齐纳电压（VZ) ：	12V
功率耗散(PD) ：	200mW
正向压降（VF) ：	0.9V
封装：	SOD-323
说明：	稳压二极管 ,BZT52C12S ,12V ,200mW ,0.9V ,SOD323

系列介绍 查找相似

属性名称	属性值
制造商	长电
产品系列	长电-BZT52C2V4S-C43
产品类别	稳压二极管
欧盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
欧盟REACH法规	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

系列介绍 查找相似

文件

文件类型	文件名

出货周期：预计发货日期 2025-07-24

在线询价

产品推荐 厂商动态 产品应用

产品推荐 厂商动态 产品应用

SiC MOSFET和Si IGBT驱动电路差异对比 SiC MOSFET与Si IGBT都是电子产品发展不可或缺的产品，SiC MOSFET与Si IGBT有很多的共同特性也有差异，那么下面就对其产品的差异进行一下对比：

低感SiC 功率模块介绍低感SiC功率模块指的是使用硅碳化物（SiC）作为半导体材料的功率模块，具有较低的电感值。与传统的硅（Si）功率模块相比，低感SiC功率模块具有更高的开关速度和更低的开关损耗，从而提高了系统的效率和可靠性。

SiC碳化硅MOS双脉冲测试设备对驱动板的要求有哪些？ SiC碳化硅MOS双脉冲测试设备对驱动板的要求如下：

总结浪涌抑制都有哪些措施？产生浪涌的原因是多方面的，浪涌是一种上升速度高、持续时间短的尖峰脉冲。电网过压、开关打火、虬源反向、静电、电机/电源噪声等都是产生浪涌的因素。而浪涌保护器为电子设备的电源浪涌防护提供了一种简便、经济、可靠的防护方法。

碳化硅(SiC)陶瓷应用半导体碳化硅(SiC)陶瓷是一种半导体材料，在很多半导体应用中有广泛的使用。以下是一些典型的碳化硅陶瓷半导体应用：

碳化硅(SiC)二极管反向恢复原理详解碳化硅二极管是单极器件，因此与传统的硅快速恢复二极管(硅FRD)相比，碳化硅二极管具有理想的反向恢复特性。当器件从正向切换到反向阻断方向时，几乎没有反向恢复功率，反向恢复时间小于20ns，甚至600V10A碳化硅二极管的反向恢复时间也小于10ns。

碳化硅(SiC)MOSFET的反向恢复电流与电性测试项目Vgs SiC MOSFET的电性测试项目Vgs主要指门源电压（Gate-Source Voltage）。反向恢复电流（Reverse Recovery Current，简称Irr）是指在二极管反向恢复过程中，流过二极管的电流。

SiC碳化硅MOSFET器件介绍 SiC器件是一种新型的硅基 MOSFET，特别是 SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN结组成。

SIC MOSFET模块的优势 mos模块由CiscoIOS开发的一个网络连接网络服务器，下载较迅速有效地管理网络服务器资源。mos模块可以使管理员更便捷的访问网络服务器来管理服务器，以及修改服务器的通信参数，修改服务器的业务脚本，moS 为应用程序的增强提供更多的可能性和灵活性，也解决了传统的系统管理问题，为系统管理提供了更多的灵活性和灵活性。

碳化硅(SiC)二极管是什么？如何判断好坏碳化硅（SiC）二极管是用碳化硅为原料制作而成的二极管。碳化硅二极管，号称反向恢复时间为零，是高效PFC boost电路的专用升压二极管。

产品推荐 厂商动态 产品应用

产品编号： {{currentProduct.code}}

产品描述： {{currentProduct.descCn}}

采购数量： {{currentProduct.num}}

购物车（{{myCartItems.length}}项目）

总金额：

{{isCn?'￥':'$'}}{{cartProductTotal}}