华年商城欢迎你！ 0755-23173910

中文 /English

{{searchSelectTypeText}}

搜索

华德合金电阻保险丝天二分流器贴片保险丝精密电阻

购物车 {{cartCount}}

你当前的浏览器版本过低或不支持。请升级或更换浏览器。推荐浏览器 Chrome Edge。

BZT52C3V0,长电,稳压二极管

BZT52C3V0

稳压二极管 ,BZT52C3V0 ,3V ,500mW ,0.9V ,SOD123

✖

图像仅供参考详情请参照图纸

规格书： BZT52C5V1_SOD-123.pdf

产品编号：	DZ-ZDZ0363V0010V903CJ
制造商产品编号：	BZT52C3V0
制造商：	长电
系列：	长电-BZT52T
产品类型：	稳压二极管
产品编码：	BZT52C3V0
齐纳电压（VZ) ：	3V
功率耗散(PD) ：	500mW
正向压降（VF) ：	0.9V
封装：	SOD-123
说明：	稳压二极管 ,BZT52C3V0 ,3V ,500mW ,0.9V ,SOD123

系列介绍 查找相似

属性名称	属性值
制造商	长电
产品系列	长电-BZT52T
产品类别	稳压二极管
欧盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
欧盟REACH法规	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

系列介绍 查找相似

文件

文件类型	文件名
规格书	BZT52C5V1_SOD-123.pdf

出货周期：预计发货日期 2025-09-07

价格分段

含税单价

5

￥0.297326

20

￥0.268737

100

￥0.205841

300

￥0.142945

价格分段

含税单价

1000

￥0.108638

3000

￥0.078906

更多数量询价

* 采购数量：

最小包装量：3000

最小订货量： 3000

最小订货量：5

采购量小于库存时，可直接购买；订购时采购数为：N*最小订货量
采购量大于库存时，需要订购；订购时采购数为：N*最小包装量

采购数量

单价

统计

{{product.num}}

{{ isCn?'￥':'$'}}{{ isCn?product.price:product.usdPrice}}

{{isCn?'￥':'$'}}{{ isCn?product.subTotal:product.usdSubTotal}}

{{isCn?'￥':'$'}}{{ isCn?product.subTotal:product.usdSubTotal}}

出货周期： {{ (product.stock > 0 && product.num <= product.stock) ? '立即发出': '预计发货日期 ' + product.leadDate }}

加入购物车立即购买

产品推荐 厂商动态 产品应用

产品推荐 厂商动态 产品应用

高压SiC MOSFET的发展趋势高压SiC mosfet的研究正在逐步深入，主要集中在高压SiC mosfet的设计、制备和检测等方面。近两年来,Sic Mosfet已经突破了2600V的峰值隧道电压,晶面绝缘特性高达200MV•cm-1,静态性能达到了半桥拓扑中单芯片500A/1700V,并可支持恒定电流和恒定电压调节器操作。除此之外，还有针对固体染料太阳能设计的SiC Mosfet，满足这些应用的需求。

碳化硅(SiC)电源管理解决方案搭配碳化硅(SiC)解决方案支持以更小、更轻和更高效的电气方案取代飞机的气动和液压系统，为机载交流发电机、执行机构和辅助动力装置（APU）供电。这类解决方案还可以减少这些系统的维护需求。但是，SiC技术最显著的贡献体现在其所肩负实现商用运输车辆电气化的使命上，这些车辆是世界上最大的GHG排放源之一。随着1700V金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和可配置数字栅极驱动技术的问世，现今的SiC解决方案使设计人员能够让这些系统以最少的能源消耗产生最大的生产力。

SiC SBD和SiC MOSFET区别有哪些？ SiC SBD和SiC MOSFET是由极化硅碳化硅材料制成的芯片，具有较高的散热性和导电性能。其差异在于：

碳化硅(SiC)MOSFET芯片的设计与制造过程对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求。这篇文章将为您介绍SiC MOSFET器件设计和制造流程。

碳化硅(SiC)二极管的测试与检测方法碳化硅（SiC）二极管具有较低的开关损耗、高的反向耐压和热稳定性，已经得到广泛应用。下面是SiC二极管的使用方法和检测方法：

SiC碳化硅MOSFET器件介绍 SiC器件是一种新型的硅基 MOSFET，特别是 SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN结组成。

什么是SiC MOSFET？ SIC MOSFET（Silicon Carbide MOSFET）是一种新型的半导体器件，具有较高的热稳定性、较高的电导率和较高的高频特性。学习 SIC MOSFET 包括以下几个方面：

SiC芯片制造的主要6个环节 SiC芯片制造的主要6个具体流程：前处理，晶圆处理，晶体生长，集成电路设计与制作，晶片测试，整合。

选择氮化镓(SiC)mosfet的5种重要技巧为了证明您选择 SiC 作为开关模式设计的首选功率半导体是正确的，请考虑以下突出的特性。与标准或超级结 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的电压、更高的频率和更高的温度下运行。其他器件的大部分功率损耗在 SiC 器件中是不存在的，因此 SiC 器件在大多数应用中的效率可以达到 90% 以上。最初，SiC 器件比其他 MOSFET 或 IGBT 更昂贵。

全SiC MOSFET模块实现系统的低损耗和小型化 SiC MOSFET模块是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半导体器件，在高速开关性能和高温环境中，优于目前主流应用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高额定电压和更大电流容量的工业设备应用中，SiC MOSFET模块可以满足包括轨道车用逆变器、转换器和光伏逆变器在内的应用需求，实现系统的低损耗和小型化。

产品推荐 厂商动态 产品应用

产品编号： {{currentProduct.code}}

产品描述： {{currentProduct.descCn}}

采购数量： {{currentProduct.num}}

购物车（{{myCartItems.length}}项目）

总金额：

{{isCn?'￥':'$'}}{{cartProductTotal}}