华年商城欢迎你！ 0755-23173910

中文 /English

{{searchSelectTypeText}}

搜索

天二华德精密电阻合金电阻贴片保险丝分流器保险丝

购物车 {{cartCount}}

你当前的浏览器版本过低或不支持。请升级或更换浏览器。推荐浏览器 Chrome Edge。

MM1Z56,晶导,稳压二极管

MM1Z56

稳压二极管 ,56V ,500mW ,VF:0.9V ,SOD123,6D

✖

图像仅供参考详情请参照图纸

规格书： JD_MM1Z_SOD123.pdf

产品编号：	DZ-MM1Z56010V903JD
制造商产品编号：	MM1Z56
制造商：	晶导
系列：	晶导-MM1Z2V0-75
产品类型：	稳压二极管
齐纳电压（VZ) ：	56V
功率耗散(PD) ：	PD:500mW
正向压降（VF) ：	0.9V
封装：	SOD-123
说明：	稳压二极管 ,56V ,500mW ,VF:0.9V ,SOD123,6D

系列介绍 查找相似

属性名称	属性值
制造商	晶导
产品系列	MM1Z2V0-75
产品类别	稳压二极管
欧盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
欧盟REACH法规	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)
电压	2V-75V
封装	SOD-123
功率	500mW

系列介绍 查找相似

文件

文件类型	文件名
规格书	JD_MM1Z_SOD123.pdf

出货周期：预计发货日期 2025-08-29

在线询价

产品推荐 厂商动态 产品应用

产品推荐 厂商动态 产品应用

MOSFET vds 振铃是什么？ VDS 震铃是指在使用碳化硅 MOSFET 时，VDS（直流源漏电压）发生震荡的现象。这是由于 MOSFET 的特殊工作原理导致的，因为 MOSFET 是一种开关器件，它具有在开启和关闭状态间变化的能力。

P沟道增强型VDS和CGS计算方式在P沟道增强型场效应晶体管（P-Channel Enhanced Mode FET）中，VDS代表的是漏极（Drain）和源极（Source）之间的电压，CGS代表的是栅极（Gate）和源极之间的电容。计算VDS时，需要考虑P-Channel Enhanced Mode FET的工作状态，一般情况下可以采用以下公式进行计算：

碳化硅(SiC)二极管的使用方法使用碳化硅二极管时，需要注意一些安全因素，如避免过大的电流流经二极管，以防损坏。在使用过程中，还需要注意电路设计和二极管的选择，以确保系统的最佳性能。

碳化硅(SiC)二极管反向恢复原理详解碳化硅二极管是单极器件，因此与传统的硅快速恢复二极管(硅FRD)相比，碳化硅二极管具有理想的反向恢复特性。当器件从正向切换到反向阻断方向时，几乎没有反向恢复功率，反向恢复时间小于20ns，甚至600V10A碳化硅二极管的反向恢复时间也小于10ns。

肖特基二极管和碳化硅肖特基二极管的区别肖特基二极管和碳化硅肖特基二极管是两种不同类型的二极管。

碳化硅(SiC)二极管压降因素 “碳化硅二极管压降” 是指碳化硅二极管的电动势差。碳化硅二极管是一种半导体器件，具有P-N结结构，可以用于控制电流或电压。二极管压降是指在二极管正向导通状态下，二极管的P-N结之间的电动势差，即正向偏置电压。这是由于二极管中接触面的电势差导致的。

碳化硅二极管：在光伏行业中的重要作用碳化硅(SiC)二极管具有高稳定性和高效率，因此它适用于各种光伏应用，如太阳能电池板和太阳能系统。例如，在太阳能电池板中，碳化硅二极管可以防止电流过大或过压，从而保护太阳能电池元件。在太阳能系统中，它也可以限制充电电流，控制电池的充电和放电过程。

碳化硅(SiC)二极管的测试与检测方法碳化硅（SiC）二极管具有较低的开关损耗、高的反向耐压和热稳定性，已经得到广泛应用。下面是SiC二极管的使用方法和检测方法：

碳化硅(SiC)二极管是什么？如何判断好坏碳化硅（SiC）二极管是用碳化硅为原料制作而成的二极管。碳化硅二极管，号称反向恢复时间为零，是高效PFC boost电路的专用升压二极管。

产品推荐 厂商动态 产品应用

产品编号： {{currentProduct.code}}

产品描述： {{currentProduct.descCn}}

采购数量： {{currentProduct.num}}

购物车（{{myCartItems.length}}项目）

总金额：

{{isCn?'￥':'$'}}{{cartProductTotal}}