华年商城欢迎你！ 0755-23173910

中文 /English

{{searchSelectTypeText}}

搜索

合金电阻精密电阻分流器保险丝贴片保险丝华德天二

购物车 {{cartCount}}

你当前的浏览器版本过低或不支持。请升级或更换浏览器。推荐浏览器 Chrome Edge。

BAV70,长电,开关二极管

BAV70

开关二极管 ,BAV70 ,VR:70V ,IO:200mA ,PD:225mW ,VF:1.25V ,SOT-23

✖

图像仅供参考详情请参照图纸

规格书： BAV70_SOT-23

产品编号：	DS-SDS05370V0A200040202CJ
制造商产品编号：	BAV70
制造商：	长电
系列：	长电-开关二极管
产品类型：	开关二极管
电压（VRM) ：	70V
电流（IO) ：	200mA
功耗（Pd) ：	225mW
压降（VF) ：	1.25V
封装：	SOT-23
说明：	开关二极管 ,BAV70 ,VR:70V ,IO:200mA ,PD:225mW ,VF:1.25V ,SOT-23

系列介绍 查找相似

属性名称	属性值
制造商	长电
产品系列	长电-开关二极管
产品类别	开关二极管
欧盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
欧盟REACH法规	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

系列介绍 查找相似

BAW56

开关二极管 ,BAW56 ,VR:70V ,IO:200mA ,PD:225mW ,VF:1.25V ,SOT-23

￥0.000000 了解更多

文件

文件类型	文件名
规格书	BAV70_SOT-23

出货周期：预计发货日期 2025-08-28

价格分段

含税单价

5

￥0.350526

30

￥0.292105

100

￥0.233684

300

￥0.175263

价格分段

含税单价

1000

￥0.105158

3000

￥0.093474

8000

￥0.075947

更多数量询价

* 采购数量：

最小包装量：3000

最小订货量： 3000

最小订货量：5

采购量小于库存时，可直接购买；订购时采购数为：N*最小订货量
采购量大于库存时，需要订购；订购时采购数为：N*最小包装量

采购数量

单价

统计

{{product.num}}

{{ isCn?'￥':'$'}}{{ isCn?product.price:product.usdPrice}}

{{isCn?'￥':'$'}}{{ isCn?product.subTotal:product.usdSubTotal}}

{{isCn?'￥':'$'}}{{ isCn?product.subTotal:product.usdSubTotal}}

出货周期： {{ (product.stock > 0 && product.num <= product.stock) ? '立即发出': '预计发货日期 ' + product.leadDate }}

加入购物车立即购买

产品推荐 厂商动态 产品应用

产品推荐 厂商动态 产品应用

MOS管损耗计算方法及公式 MOS 管的损耗可以通过计算其电流损耗和功率损耗来估算。电流损耗是指在 MOS 管内部通过电流时产生的损耗，这是由于电子在通过 MOS 管时与硅基材产生电阻损耗。这种损耗可以通过如下公式计算：

碳化硅(SiC)二极管压降因素 “碳化硅二极管压降” 是指碳化硅二极管的电动势差。碳化硅二极管是一种半导体器件，具有P-N结结构，可以用于控制电流或电压。二极管压降是指在二极管正向导通状态下，二极管的P-N结之间的电动势差，即正向偏置电压。这是由于二极管中接触面的电势差导致的。

P沟道增强型VDS和CGS计算方式在P沟道增强型场效应晶体管（P-Channel Enhanced Mode FET）中，VDS代表的是漏极（Drain）和源极（Source）之间的电压，CGS代表的是栅极（Gate）和源极之间的电容。计算VDS时，需要考虑P-Channel Enhanced Mode FET的工作状态，一般情况下可以采用以下公式进行计算：

碳化硅(SiC)MOSFET在新能源充电桩的广泛应用碳化硅功率器件涵盖650V/2A-100A，1200V/2A-90A，1700V/5A-80A等系列，产品已经投入批量生产，产品完全可以对标国际品牌同行的先进品质及水平。先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级、车规级可靠性测试的碳化硅MOSFET系列产品，性能达到国际先进水平，应用于太阳能逆变电源、新能源电动汽车及充电桩、智能电网、高频电焊、轨道交通、工业控制特种电源、国防军工等领域。

MOSFET vds 振铃是什么？ VDS 震铃是指在使用碳化硅 MOSFET 时，VDS（直流源漏电压）发生震荡的现象。这是由于 MOSFET 的特殊工作原理导致的，因为 MOSFET 是一种开关器件，它具有在开启和关闭状态间变化的能力。

碳化硅(SiC)MOSFET的反向恢复电流与电性测试项目Vgs SiC MOSFET的电性测试项目Vgs主要指门源电压（Gate-Source Voltage）。反向恢复电流（Reverse Recovery Current，简称Irr）是指在二极管反向恢复过程中，流过二极管的电流。

SiC MOSFET 比 Si MOSFET有哪些优势 SiC MOSFETs（碳化硅MOS场效应管）与Si MOSFETs（硅MOS场效应管）相比，有许多优势，具体优势如下：

SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作环境与应用市场 SiC与MOSFET相比完美地解决了硅基中高压与高频很难同时实现这一难题，基于与高压中频兼容, SiC-MOSFET并以其高效率小体积等特点成为电动汽车，充电桩和光伏逆变器（不考虑成本的话）的最优方案；

SiC碳化硅MOS双脉冲测试设备对驱动板的要求有哪些？ SiC碳化硅MOS双脉冲测试设备对驱动板的要求如下：

SiC MOS驱动设计 SiC mos驱动设计 SiC mos驱动设计是一个复杂的过程，需要考虑许多因素，如电气性能、热特性和封装选择。为了提高可靠性和性能，应该考虑以下几个方面：

产品推荐 厂商动态 产品应用

产品编号： {{currentProduct.code}}

产品描述： {{currentProduct.descCn}}

采购数量： {{currentProduct.num}}

购物车（{{myCartItems.length}}项目）

总金额：

{{isCn?'￥':'$'}}{{cartProductTotal}}