LMBR0540FT1G_乐山无线电_肖特基二极管_40V_500mA_参数

属性名称	属性值
制造商	乐山无线电
产品系列	乐山无线电-肖特基二极管
产品类别	肖特基二极管
欧盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
欧盟REACH法规	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

文件类型	文件名
规格书	LMBR0540FT1G.pdf

出货周期：预计发货日期 2025-08-20

在线询价

产品推荐 厂商动态 产品应用

LBAT54HT1G

肖特基二极管 ,LBAT54HT1G ,VR:30V ,IO:200mA ,VF:1V ,PD:200mW ,SOD-323,JV

￥0.000000 了解更多
DS751-40LED02

肖特基二极管 ,DS751-40LED02 ,VR:40V ,IO:30mA ,VF:0.37V ,PD:100mW ,WBFBP-02C

￥0.000000 了解更多
BAS70-06

肖特基二极管 ,BAS70-06 ,VR:70V ,IO:70mA ,VF:1V ,PD:200mW ,SOT-23

￥0.000000 了解更多
BAS40W

肖特基二极管 ,BAS40W ,VR:40V ,IO:200mA ,VF:1V ,PD:150mW ,SOT-323

￥0.000000 了解更多
BAT54S

肖特基二极管 ,BAT54C ,VR:30V ,IO:200mA ,VF:1V ,PD:200mW ,SOT-23,KL4

￥0.034606 了解更多
RB501V-40

肖特基二极管 ,RB501V-40 ,VR:40V ,IO:100mA ,VF:0.55V ,PD:200mW ,SOD-323

￥0.000000 了解更多
BAT43W

肖特基二极管 ,BAT43W ,VR:30V ,- ,VF:0.45V ,PD:200mW ,SOD-123

￥0.000000 了解更多
BAV23C

肖特基二极管 ,BAV23C ,VR:250V ,IO:100mA ,VF:1.25V ,PD:350mW ,SOT-23

￥0.000000 了解更多
BAS70DW-05

肖特基二极管 ,BAS70DW-05 ,VR:70V ,IO:70mA ,VF:1V ,PD:200mW ,SOT-363

￥0.000000 了解更多
SD101CWS

肖特基二极管 ,SD101CWS ,VR:40V ,- ,VF:0.9V ,PD:200mW ,SOD-323

￥0.000000 了解更多
BAT54X

肖特基二极管 ,BAT54X ,VR:30V ,IO:200mA ,VF:1V ,PD:150mW ,SOD-523

￥0.000000 了解更多
BAS70-06T

肖特基二极管 ,BAS70-06T ,VR:70V ,IO:70mA ,VF:1V ,PD:150mW ,SOT-523

￥0.000000 了解更多
SD103CWS

肖特基二极管 ,SD103CWS ,VR:20V ,- ,VF:0.6V ,PD:200mW ,SOD-323

￥0.000000 了解更多
CMPSH-3C

肖特基二极管 ,CMPSH-3C ,VR:30V ,IO:100mA ,VF:1V ,PD:350mW ,SOT-23

￥0.000000 了解更多
RB520S-30

肖特基二极管 ,RB520S-30 ,VR:30V ,IO:200mA ,VF:0.6V ,PD:150mW ,SOD-523

￥0.067868 了解更多
BAR43A

肖特基二极管 ,BAR43A ,VR:30V ,IO:200mA ,VF:1V ,PD:200mW ,SOT-23

￥0.000000 了解更多
RB520S-40

肖特基二极管 ,RB520S-40 ,VR:40V ,IO:200mA ,VF:0.55V ,PD:150mW ,SOD-523

￥0.000000 了解更多
MBR0520

肖特基二极管 ,MBR0520 ,VR:20V ,IO:500mA ,VF:0.45V ,PD:410mW ,SOD-123

￥0.000000 了解更多
DS521-30EAA02

肖特基二极管 ,DS521-30EAA02 ,VR:30V ,IO:100mA ,VF:0.37V ,PD:100mW , MLDFN0.6*0.3-2L-A

￥0.000000 了解更多
RB715F

肖特基二极管 ,RB715F ,VR:40V ,IO:30mA ,VF:0.37V ,PD:200mW ,SOT-323

￥0.000000 了解更多

产品推荐 厂商动态 产品应用

MOSFET vds 振铃是什么？ VDS 震铃是指在使用碳化硅 MOSFET 时，VDS（直流源漏电压）发生震荡的现象。这是由于 MOSFET 的特殊工作原理导致的，因为 MOSFET 是一种开关器件，它具有在开启和关闭状态间变化的能力。

肖特基二极管和碳化硅肖特基二极管的区别肖特基二极管和碳化硅肖特基二极管是两种不同类型的二极管。

碳化硅(SiC)二极管是什么？如何判断好坏碳化硅（SiC）二极管是用碳化硅为原料制作而成的二极管。碳化硅二极管，号称反向恢复时间为零，是高效PFC boost电路的专用升压二极管。

碳化硅(SIC)MOSFET的电路符号碳化硅(SiC)MOSFET 的电路符号与传统的硅 MOSFET 的符号类似，只是在符号上加上了一些特殊的标记来表示其特性。

SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作环境与应用市场 SiC与MOSFET相比完美地解决了硅基中高压与高频很难同时实现这一难题，基于与高压中频兼容, SiC-MOSFET并以其高效率小体积等特点成为电动汽车，充电桩和光伏逆变器（不考虑成本的话）的最优方案；

单FET,MOSFET管应用场景有什么区别？单FET和MOSFET管在开关电路和功率放大器等应用中具有很广泛的应用前景，具体的选择要根据具体的应用场景和需求来决定。

低感SiC 功率模块介绍低感SiC功率模块指的是使用硅碳化物（SiC）作为半导体材料的功率模块，具有较低的电感值。与传统的硅（Si）功率模块相比，低感SiC功率模块具有更高的开关速度和更低的开关损耗，从而提高了系统的效率和可靠性。

碳化硅(SiC)电源管理解决方案搭配碳化硅(SiC)解决方案支持以更小、更轻和更高效的电气方案取代飞机的气动和液压系统，为机载交流发电机、执行机构和辅助动力装置（APU）供电。这类解决方案还可以减少这些系统的维护需求。但是，SiC技术最显著的贡献体现在其所肩负实现商用运输车辆电气化的使命上，这些车辆是世界上最大的GHG排放源之一。随着1700V金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和可配置数字栅极驱动技术的问世，现今的SiC解决方案使设计人员能够让这些系统以最少的能源消耗产生最大的生产力。

硅向碳化硅(SiC)过渡过程中变流器的设计有哪些问题？碳化硅器件变流器的设计是一个复杂的过程，需要考虑许多因素，以确保其可靠性和性能。因此，设计师需要充分了解碳化硅器件的特性，并在设计时进行相应的调整，以确保变流器能够满足应用环境的要求

Cascode SiC会比普通SiC速度更快吗？ Cascode SiC（碳化硅共源共栅）结构在某些情况下可能会比普通 SiC 器件具有更快的开关速度。Cascode 结构结合了 Si（硅）MOSFET 和 SiC 器件的特点，通过优化的设计和驱动方式，有可能实现更低的导通电阻、更快的开关转换和更低的开关损耗。

产品编号：	DK-K28240V0A500110704LR
制造商产品编号：	LMBR0540FT1G
制造商：	乐山无线电
系列：	乐山无线电-肖特基二极管
产品类型：	肖特基二极管
工作电压：	40V
工作电流：	500mA
压降(VF) ：	0.55V
功率耗散：	400mW
封装：	SOD-123FL
说明：	肖特基二极管 ,LMBR0540FT1G ,VR:40V ,IO:500mA ,VF:0.55V ,PD:400mW ,SOD-123FL

LMBR0540FT1G,乐山无线电,肖特基二极管

LMBR0540FT1G

系列介绍 查找相似

系列介绍 查找相似

文件

产品推荐 厂商动态 产品应用

产品推荐 厂商动态 产品应用

产品推荐 厂商动态 产品应用

LMBR0540FT1G,乐山无线电,肖特基二极管

LMBR0540FT1G

系列介绍 查找相似

系列介绍 查找相似

文件

相关系列

产品推荐 厂商动态 产品应用

产品推荐 厂商动态 产品应用

产品推荐 厂商动态 产品应用

系列介绍查找相似

系列介绍查找相似

产品推荐厂商动态产品应用

产品推荐厂商动态产品应用

产品推荐厂商动态产品应用